IPL60R180P6AUMA1-HXY
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
IPL60R180P6AUMA1-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承受最高10A的连续漏极电流（ID）。 导通状态下， 其导通电阻（RDON）低至160mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路及各类功率控制设备中， 具备良好的热稳定性和响应速度， 适合对性能和可靠性有较高要求的电子设计方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(8x8)
库存
8
货期
现货
IPL60R180P6AUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
IPL60R180P6AUMA1-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承受最高10A的连续漏极电流（ID）。 导通状态下， 其导通电阻（RDON）低至160mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路及各类功率控制设备中， 具备良好的热稳定性和响应速度， 适合对性能和可靠性有较高要求的电子设计方案。
IPL60R180P6AUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL60R180P6AUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。