IPL60R115CFD7-HXY
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
IPL60R115CFD7-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备17A的漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS）， 适用于中高功率电源管理应用。 导通电阻（RDON）为100mΩ， 有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件采用成熟稳定的工艺制造， 具备良好的热稳定性和耐用性， 可广泛应用于开关电源、直流电机驱动、LED照明控制及各类中高电压电子设备中， 满足多样化电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(8x8)
库存
167
货期
现货
IPL60R115CFD7-HXY参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 167 |
IPL60R115CFD7-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备17A的漏极电流（ID）和650V的漏源耐压（VDSS）， 适用于中高功率电源管理应用。 导通电阻（RDON）为100mΩ， 有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件采用成熟稳定的工艺制造， 具备良好的热稳定性和耐用性， 可广泛应用于开关电源、直流电机驱动、LED照明控制及各类中高电压电子设备中， 满足多样化电路设计需求。
IPL60R115CFD7-HXY特性
暂无产品特性。
IPL60R115CFD7-HXY应用领域
暂无应用领域。