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IPL60R065C7
IC

VSON-4-EP(8.1x8.1)

可供量大可议

IPL60R065C7

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 根据超结(SJ)原理设计。 600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与面积A的乘积低于10 mΩ×mm²的技术。

品牌

Infineon

封装

VSON-4-EP(8.1x8.1)

库存

20

货期

现货

IPL60R065C7参数

封装VSON-4-EP(8.1x8.1)
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

IPL60R065C7概述

是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术, 根据超结(SJ)原理设计。 600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与面积A的乘积低于10 mΩ×mm²的技术。

IPL60R065C7特性

暂无产品特性。

IPL60R065C7应用领域

暂无应用领域。

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