IPI045N10N3 G
IC
TO-262-3
可供量大可议
IPI045N10N3 G
特性：N- 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-262-3
库存
2
货期
现货
IPI045N10N3 G参数
| 封装 | TO-262-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPI045N10N3 G概述
特性：N- 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175°C 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
IPI045N10N3 G特性
暂无产品特性。
IPI045N10N3 G应用领域
暂无应用领域。