IPI040N06N3 G
IC
TO-262-3
可供量大可议
IPI040N06N3 G
特性：适用于同步整流、驱动器和直流/直流开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 雪崩额定。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-262-3
库存
16
货期
现货
IPI040N06N3 G参数
| 封装 | TO-262-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
IPI040N06N3 G概述
特性：适用于同步整流、驱动器和直流/直流开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 雪崩额定。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPI040N06N3 G特性
暂无产品特性。
IPI040N06N3 G应用领域
暂无应用领域。