IPG20N10S4L35ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IPG20N10S4L35ATMA1
特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
13
货期
现货
IPG20N10S4L35ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
IPG20N10S4L35ATMA1概述
特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
IPG20N10S4L35ATMA1特性
暂无产品特性。
IPG20N10S4L35ATMA1应用领域
暂无应用领域。