IPG20N06S2L-50A-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
IPG20N06S2L-50A-HXY
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为高效能与空间受限应用打造。 器件支持最高60V的电压VDSS， 能稳定承载50A的大电流， 表现出众。 其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR， 有效降低了系统功耗， 提升了工作效率。 IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景， 是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
95
货期
现货
IPG20N06S2L-50A-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
IPG20N06S2L-50A-HXY概述
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为高效能与空间受限应用打造。 器件支持最高60V的电压VDSS， 能稳定承载50A的大电流， 表现出众。 其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR， 有效降低了系统功耗， 提升了工作效率。 IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景， 是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
IPG20N06S2L-50A-HXY特性
暂无产品特性。
IPG20N06S2L-50A-HXY应用领域
暂无应用领域。