IPF067N20NM6ATMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IPF067N20NM6ATMA1
特性：N-channel, normal level。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的栅极电荷×Rps(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值， 175℃工作温度。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准MSL 1分类， 100%雪崩测试
Brand
Infineon
Package
TO-263-7
Stock
3
货期
现货
IPF067N20NM6ATMA1Parameters
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IPF067N20NM6ATMA1概述
特性：N-channel, normal level。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的栅极电荷×Rps(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值， 175℃工作温度。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准MSL 1分类， 100%雪崩测试
IPF067N20NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPF067N20NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。