IPF019N12NM6ATMA1
IC
PG-TO263-7
可供量大可议
IPF019N12NM6ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准分类为MSL 1
品牌
Infineon
封装
PG-TO263-7
库存
40
货期
现货
IPF019N12NM6ATMA1参数
| 封装 | PG-TO263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
IPF019N12NM6ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准分类为MSL 1
IPF019N12NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPF019N12NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。