IPF015N10N5ATMA1
IC
TO-263-7-1
可供量大可议
IPF015N10N5ATMA1
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-263-7-1
库存
10
货期
现货
IPF015N10N5ATMA1参数
| 封装 | TO-263-7-1 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPF015N10N5ATMA1概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPF015N10N5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPF015N10N5ATMA1应用领域
暂无应用领域。