IPD95R2K0P7ATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD95R2K0P7ATMA1
特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS, typ， 降低了Ωg、Cgin和Cgin。 同类最佳的DPAK封装RDS(on)。 同类最佳的VGS(th)为3V， 且VGS(th)变化最小， 为±0.5V。 集成齐纳二极管ESD保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。 也适用于消费和太阳能应用中的PFC级
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
539
货期
现货
IPD95R2K0P7ATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 539 |
IPD95R2K0P7ATMA1概述
特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS, typ， 降低了Ωg、Cgin和Cgin。 同类最佳的DPAK封装RDS(on)。 同类最佳的VGS(th)为3V， 且VGS(th)变化最小， 为±0.5V。 集成齐纳二极管ESD保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。 也适用于消费和太阳能应用中的PFC级
IPD95R2K0P7ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD95R2K0P7ATMA1应用领域
暂无应用领域。