IPD90P03P4L04ATMA1-HXY

该P沟道场效应管具备30V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻低至3.5mΩ， 在低电压开关应用中可有效减少导通损耗。 其P沟道结构适用于高边开关配置， 有利于简化栅极驱动电路设计。 器件采用先进工艺制造， 具有良好的热稳定性和开关特性， 适合用于电源管理模块、直流电源转换、电池供电设备及各类高电流开关电路中， 满足对效率和紧凑布局有较高要求的场景。