IPD90P03P404ATMA1-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 可承受最高100A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至3.5mΩ， 显著降低导通损耗并提升整体效率。 该器件适用于高侧电源开关、直流-直流转换器及大电流控制电路， 具备优异的热稳定性和高频开关性能， 适合用于各类中高功率电子设备的设计与应用， 满足对能效和可靠性要求较高的场景需求。