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IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD90N06S4L03ATMA2-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度电子设备对开关元件的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持稳定运行性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD90N06S4L03ATMA2-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD90N06S4L03ATMA2-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度电子设备对开关元件的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持稳定运行性能。

IPD90N06S4L03ATMA2-HXY特性

暂无产品特性。

IPD90N06S4L03ATMA2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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