IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度电子设备对开关元件的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持稳定运行性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD90N06S4L03ATMA2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD90N06S4L03ATMA2-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为130A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现, 满足高功率密度电子设备对开关元件的严苛要求, 确保在持续高负载工况下维持稳定运行性能。
IPD90N06S4L03ATMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IPD90N06S4L03ATMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。
