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IPD90N06S4L03ATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD90N06S4L03ATMA1-HXY

该N沟道场效应管具备130A最大漏极电流与60V漏源耐压, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 极低内阻显著降低导通损耗, 适用于大电流电源模块、高性能电机驱动及储能系统逆变电路。 其参数特性支持高频开关操作, 能在高负载条件下维持稳定运行, 满足精密功率控制设备对效率与热管理的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

IPD90N06S4L03ATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存49

IPD90N06S4L03ATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管具备130A最大漏极电流与60V漏源耐压, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 极低内阻显著降低导通损耗, 适用于大电流电源模块、高性能电机驱动及储能系统逆变电路。 其参数特性支持高频开关操作, 能在高负载条件下维持稳定运行, 满足精密功率控制设备对效率与热管理的严格要求。

IPD90N06S4L03ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD90N06S4L03ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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