IPD90N06S4L03ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD90N06S4L03ATMA1-HXY
该N沟道场效应管具备130A最大漏极电流与60V漏源耐压, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 极低内阻显著降低导通损耗, 适用于大电流电源模块、高性能电机驱动及储能系统逆变电路。 其参数特性支持高频开关操作, 能在高负载条件下维持稳定运行, 满足精密功率控制设备对效率与热管理的严格要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
IPD90N06S4L03ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IPD90N06S4L03ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管具备130A最大漏极电流与60V漏源耐压, 导通电阻低至3毫欧, 栅源电压耐受20V。 极低内阻显著降低导通损耗, 适用于大电流电源模块、高性能电机驱动及储能系统逆变电路。 其参数特性支持高频开关操作, 能在高负载条件下维持稳定运行, 满足精密功率控制设备对效率与热管理的严格要求。
IPD90N06S4L03ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD90N06S4L03ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
