IPD90N06S4L-06-JSM
IC
TO-252
可供量大可议
IPD90N06S4L-06-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5mR @20A, 10V
Brand
JSMSEMI
Package
TO-252
Stock
495
货期
现货
IPD90N06S4L-06-JSMParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 495 |
IPD90N06S4L-06-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5mR @20A, 10V
IPD90N06S4L-06-JSM特性
暂无产品特性。
IPD90N06S4L-06-JSM应用领域
暂无应用领域。