IPD90N06S4L-03-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD90N06S4L-03-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SGT技术制造， 适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域， 可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中， 以实现稳定的能量转换和高性能输出。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
125
货期
现货
IPD90N06S4L-03-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 125 |
IPD90N06S4L-03-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型MOSFET， 采用SGT技术制造， 适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域， 可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中， 以实现稳定的能量转换和高性能输出。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4.5V
IPD90N06S4L-03-VB特性
暂无产品特性。
IPD90N06S4L-03-VB应用领域
暂无应用领域。