IPD90N06S405ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD90N06S405ATMA1-HXY
这款N沟道场效应管专为高功率密度应用而设计, 其核心价值在于将60V的耐压能力与高达120A的连续电流处理能力集于一身。 尤为突出的是其仅4.5mΩ的极低导通电阻, 这意味着在通过大电流时, 器件自身的功耗与发热被控制在极低水平, 为系统的高效稳定运行奠定了坚实基础。 它非常适合用于大功率DC-DC转换器的同步整流或主开关, 尤其是在48V母线电压的系统中, 能够轻松应对瞬态的大电流冲击。 在高性能电池保护电路中, 它可作为主回路开关, 低内阻特性有助于减少能量损耗, 提升整体续航。 此外, 它也是驱动高功率电机、伺服系统等负载的理想选择, 能够实现对大电流的精准、快速控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD90N06S405ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD90N06S405ATMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高功率密度应用而设计, 其核心价值在于将60V的耐压能力与高达120A的连续电流处理能力集于一身。 尤为突出的是其仅4.5mΩ的极低导通电阻, 这意味着在通过大电流时, 器件自身的功耗与发热被控制在极低水平, 为系统的高效稳定运行奠定了坚实基础。 它非常适合用于大功率DC-DC转换器的同步整流或主开关, 尤其是在48V母线电压的系统中, 能够轻松应对瞬态的大电流冲击。 在高性能电池保护电路中, 它可作为主回路开关, 低内阻特性有助于减少能量损耗, 提升整体续航。 此外, 它也是驱动高功率电机、伺服系统等负载的理想选择, 能够实现对大电流的精准、快速控制。
IPD90N06S405ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD90N06S405ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
