IPD90N03S4L-03-HXY

IPD90N03S4L-03 是一款高功率N沟道MOSFET， 采用TO-252-2L封装， 适用于大电流、高效率的电路设计。 器件特点包括最大漏源电压(VDSS)30V， 可承受高达150A的连续漏极电流(ID)， 尤其突出的是其超低导通电阻(RD(on))仅为2mR， 确保在大电流应用中实现卓越的能效比。 此款MOS管广泛应用于电源转换、电动车充电设备、太阳能逆变器等高功率领域， 是系统效能优化的理想选择。