IPD900P06NM
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD900P06NM
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平增强模式。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
Brand
Infineon
Package
TO-252-3
Stock
64
货期
现货
IPD900P06NMParameters
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 64 |
IPD900P06NM概述
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平增强模式。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPD900P06NM特性
暂无产品特性。
IPD900P06NM应用领域
暂无应用领域。