IPD85P04P4L06ATMA2-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有以下关键参数：最大漏极电流ID为80A， 漏源击穿电压VDSS为40V， 导通电阻RDON低至7.3毫欧， 具备高电流承载能力和较低的导通损耗。 该器件适用于多种功率控制与电源管理应用， 如直流电源转换、电池供电系统中的开关电路、负载驱动模块以及对能效和稳定性要求较高的电子设备中， 可有效提升系统整体工作效率并降低发热损耗。