IPD80R1K4P7
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD80R1K4P7
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
Brand
Infineon
Package
TO-252-3
Stock
2,500
货期
现货
IPD80R1K4P7Parameters
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | IPD80R1K4P7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00043 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 250pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:800V 电流:4A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IPD80R1K4P7概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆, 将一流的性能与先进的易用性相结合, 这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
IPD80R1K4P7特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss
- 降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th, 最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
IPD80R1K4P7应用领域
- LED照明的硬开关和软开关反激拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费应用中的PFC级
- 太阳能