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IPD80R1K4CEATMA1
IC

TO-252-3

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IPD80R1K4CEATMA1

1个N沟道 耐压:800V 电流:2.3A

品牌

Infineon

封装

TO-252-3

库存

50

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

IPD80R1K4CEATMA1参数

封装TO-252-3
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

IPD80R1K4CEATMA1概述

1个N沟道 耐压:800V 电流:2.3A

IPD80R1K4CEATMA1特性

暂无产品特性。

IPD80R1K4CEATMA1应用领域

暂无应用领域。

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