IPD80P03P4L07ATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD80P03P4L07ATMA1
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
1
货期
现货
IPD80P03P4L07ATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPD80P03P4L07ATMA1概述
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
IPD80P03P4L07ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD80P03P4L07ATMA1应用领域
暂无应用领域。