IPD78CN10N G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD78CN10N G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率管理应用， 包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等， 具有广泛的应用前景TO252； N—Channel沟道, 100V； 25A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
940
货期
现货
IPD78CN10N G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 940 |
IPD78CN10N G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种电源和功率管理应用， 包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等， 具有广泛的应用前景TO252； N—Channel沟道, 100V； 25A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3.5V
IPD78CN10N G-VB特性
暂无产品特性。
IPD78CN10N G-VB应用领域
暂无应用领域。