IPD75N04S406ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD75N04S406ATMA1-HXY
这款N沟道场效应管具备40V耐压与80A持续电流处理能力, 配合5.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的功率损耗与热积累。 其栅源电压支持±20V范围, 为驱动电路设计提供了充裕的安全余量。 基于这些特性, 该器件非常适合作为高效功率开关, 应用于各类电源转换模块、电池供电设备的功率管理, 以及需要大电流精确控制的终端产品之中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD75N04S406ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD75N04S406ATMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管具备40V耐压与80A持续电流处理能力, 配合5.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的功率损耗与热积累。 其栅源电压支持±20V范围, 为驱动电路设计提供了充裕的安全余量。 基于这些特性, 该器件非常适合作为高效功率开关, 应用于各类电源转换模块、电池供电设备的功率管理, 以及需要大电流精确控制的终端产品之中。
IPD75N04S406ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD75N04S406ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
