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IPD75N04S406ATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD75N04S406ATMA1-HXY

这款N沟道场效应管具备40V耐压与80A持续电流处理能力, 配合5.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的功率损耗与热积累。 其栅源电压支持±20V范围, 为驱动电路设计提供了充裕的安全余量。 基于这些特性, 该器件非常适合作为高效功率开关, 应用于各类电源转换模块、电池供电设备的功率管理, 以及需要大电流精确控制的终端产品之中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD75N04S406ATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD75N04S406ATMA1-HXY概述

这款N沟道场效应管具备40V耐压与80A持续电流处理能力, 配合5.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的功率损耗与热积累。 其栅源电压支持±20V范围, 为驱动电路设计提供了充裕的安全余量。 基于这些特性, 该器件非常适合作为高效功率开关, 应用于各类电源转换模块、电池供电设备的功率管理, 以及需要大电流精确控制的终端产品之中。

IPD75N04S406ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD75N04S406ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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