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IPD70R1K4P7SAUMA1
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IC

TO-252-3

IPD70R1K4P7SAUMA1

场效应管(MOSFET) 23W 700V 4A 1个N沟道

品牌

Infineon

封装

TO-252-3

交期

现货

批次

两年内

IPD70R1K4P7SAUMA1参数

封装TO-252-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))3.5V
输入电容(Ciss)158pF
分类场效应管(MOSFET)
库存5,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)700V
耗散功率(Pd)22.7W
栅极电荷量(Qg)4.7nC@10V
工作温度-40℃~+150℃

IPD70R1K4P7SAUMA1概述

场效应管(MOSFET) 23W 700V 4A 1个N沟道

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