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IPD70P04P4-09-VB
IC

TO-252

可供量大可议

IPD70P04P4-09-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET器件, 采用Trench技术, 适用于各种电子设备和系统中。 TO252; P—Channel沟道, -40V; -90A; RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.5~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

1

货期

现货

IPD70P04P4-09-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

IPD70P04P4-09-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET器件, 采用Trench技术, 适用于各种电子设备和系统中。 TO252; P—Channel沟道, -40V; -90A; RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.5~-2.5V

IPD70P04P4-09-VB特性

暂无产品特性。

IPD70P04P4-09-VB应用领域

暂无应用领域。

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