IPD70N12S311ATMA1
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD70N12S311ATMA1
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
1
货期
现货
IPD70N12S311ATMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPD70N12S311ATMA1概述
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
IPD70N12S311ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD70N12S311ATMA1应用领域
暂无应用领域。