IPD70N10S3L12
IC
TO-252
可供量大可议
IPD70N10S3L12
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1, 最高260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
2
货期
现货
IPD70N10S3L12参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPD70N10S3L12概述
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1, 最高260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
IPD70N10S3L12特性
暂无产品特性。
IPD70N10S3L12应用领域
暂无应用领域。