IPD70N03S4L04ATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效抑制功耗， 提升系统效率并简化热管理设计。 适用于高功率密度的电源架构， 如多相稳压模块、电池管理系统及高效直流转换电路， 在持续高负载或高频开关应用中可维持良好的电气性能与稳定性。