IPD65R950CFDATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD65R950CFDATMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有高耐压能力和良好的高温工作特性， 在高频开关条件下仍能维持较低的开关损耗。 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换系统， 尤其适合空间受限但需稳定运行的高电压应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
11
货期
现货
IPD65R950CFDATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
IPD65R950CFDATMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具有高耐压能力和良好的高温工作特性， 在高频开关条件下仍能维持较低的开关损耗。 适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换系统， 尤其适合空间受限但需稳定运行的高电压应用场景。
IPD65R950CFDATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD65R950CFDATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。