IPD65R660CFDBTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD65R660CFDBTMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 碳化硅材料特性使其在高温和高压条件下仍能保持稳定性能， 适合用于对可靠性与能效要求较高的电力电子系统中， 如电源适配器、光伏逆变器及高频开关电源等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
IPD65R660CFDBTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IPD65R660CFDBTMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 适用于高效率、高频率的功率转换场景。 碳化硅材料特性使其在高温和高压条件下仍能保持稳定性能， 适合用于对可靠性与能效要求较高的电力电子系统中， 如电源适配器、光伏逆变器及高频开关电源等应用。
IPD65R660CFDBTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD65R660CFDBTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。