IPD65R650CEATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD65R650CEATMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V， 支持负压关断以增强抗误导通能力。 器件基于碳化硅材料， 在高频开关条件下可显著降低开关损耗， 并具备优异的高温工作特性， 适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
IPD65R650CEATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IPD65R650CEATMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V， 支持负压关断以增强抗误导通能力。 器件基于碳化硅材料， 在高频开关条件下可显著降低开关损耗， 并具备优异的高温工作特性， 适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。
IPD65R650CEATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD65R650CEATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。