IPD65R600E6-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD65R600E6-VB
TO252； N—Channel沟道, 700V； 10A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
20
货期
现货
IPD65R600E6-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IPD65R600E6-VB概述
TO252； N—Channel沟道, 700V； 10A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
IPD65R600E6-VB特性
暂无产品特性。
IPD65R600E6-VB应用领域
暂无应用领域。