IPD65R250C6XTMA1-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至160mΩ， 可显著降低功率损耗。 其栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定的栅极驱动与可靠的工作特性。 碳化硅材料赋予器件优异的高温工作能力、快速开关速度和高耐压性能。 适用于高效率、高频率的电力转换系统， 如大功率开关电源、可再生能源逆变装置、储能系统的能量管理模块以及高功率密度电源设备， 有助于提升系统能效， 减小散热需求， 并支持紧凑型设计。