IPD65R1K0CEAUMA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流能力， 导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料的物理特性， 该器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频DC-DC变换器等场合。