IPD65R190C7ATMA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ， 可有效降低导通损耗。 栅源电压范围-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 采用宽禁带半导体材料， 具有优异的高频开关性能与高温工作能力。 适用于高效率电源转换系统， 如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的DC-DC变换器及光伏逆变模块， 有助于提升系统能效并减小被动器件体积。