IPD60R600P7S

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结 (SJ) 原理设计。 它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性， 例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。