IPD60R600C6-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD60R600C6-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单NMOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的性能和稳定性， 适用于各种电源和功率控制应用。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 9A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
IPD60R600C6-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
IPD60R600C6-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单NMOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 具有优异的性能和稳定性， 适用于各种电源和功率控制应用。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 9A； RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~4V
IPD60R600C6-VB特性
暂无产品特性。
IPD60R600C6-VB应用领域
暂无应用领域。