IPD60R3K3C6ATMA1
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD60R3K3C6ATMA1
CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结 (SJ) 原理设计。 CoolMOS™ C6 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与高级创新。 所得器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优点， 同时不牺牲易用性。 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
369
货期
现货
IPD60R3K3C6ATMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 369 |
IPD60R3K3C6ATMA1概述
CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术， 根据超结 (SJ) 原理设计。 CoolMOS™ C6 系列结合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与高级创新。 所得器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优点， 同时不牺牲易用性。 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
IPD60R3K3C6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD60R3K3C6ATMA1应用领域
暂无应用领域。