IPD60R385CP-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为260mΩ， 有助于降低导通损耗。 栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围， 确保驱动可靠性与灵活性。 采用碳化硅材料， 具备优异的耐高温与高频特性， 适用于高效率开关电源、直流变换模块及可再生能源发电中的功率转换电路。 其低损耗和高热导率特性， 有利于提升系统整体能效与功率密度， 适合严苛的电力电子应用环境。