IPD60R380P6-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ， 支持-5V至+16V的栅源电压范围。 基于碳化硅材料的特性， 器件具备优异的耐高压与高温能力， 开关损耗低， 适用于高频率、高效率的电力转换电路。 典型应用包括高效电源适配器、不间断电源、可再生能源发电逆变装置及高功率密度DC-DC变换器， 有助于提升系统能效与功率密度。