IPD60R360PFD7S-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V， 确保了驱动兼容性与工作稳定性。 得益于碳化硅材料的优异特性， 该器件可在高频、高温及高压环境下保持低开关损耗与导通损耗， 广泛应用于开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块及高密度电源转换装置中， 满足对能效与功率密度有较高要求的场景。