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IC
TO-252-3
IPD60R360P7SAUMA1
场效应管(MOSFET) 41W 600V 9A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
交期
现货
批次
两年外
IPD60R360P7SAUMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年外 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 驱动电压（最大 Rds On， 最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 140µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555pF @ 400V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | TO-252-3， DPak（2 引线 + 接片）， SC-63 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 2.7A， 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 41W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
IPD60R360P7SAUMA1概述
场效应管(MOSFET) 41W 600V 9A 1个N沟道
IPD60R360P7SAUMA1 采购核对
询价 IPD60R360P7SAUMA1 时，请提供完整制造商型号、采购数量、可接受批次和收货地区。下单前请根据制造商资料核对封装（TO-252-3）与电气要求。在列库存、价格和交期均需最终确认。