IPD60R360P7S-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD60R360P7S-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ， 有助于减少导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力， 适用于高效率电源转换系统， 如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,439
货期
现货
IPD60R360P7S-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 配置 | 独立式 |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2,439 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 180pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@18V |
IPD60R360P7S-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ， 有助于减少导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为-5V至+16V， 支持稳定可靠的栅极驱动控制。 基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力， 适用于高效率电源转换系统， 如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。
IPD60R360P7S-HXY特性
暂无产品特性。
IPD60R360P7S-HXY应用领域
暂无应用领域。