IPD60N10S4L12ATMA1-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）在电源管理和功率控制领域表现出色。 其漏极电流ID为60A， 漏源电压VDSS为100V， 导通电阻RDON为13.5mΩ， 具备良好的导电能力和热稳定性， 适合中高功率应用场景。 该器件适用于开关电源、同步整流电路、电池保护模块及各类高效能电子设备中的功率转换与调节单元， 为系统提供高效、可靠的解决方案。