IPD60N10S4L12ATMA1
IC
TO-252-3-313
可供量大可议
IPD60N10S4L12ATMA1
特性：N沟道-增强模式。 AEC认证。 最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252-3-313
库存
119
货期
现货
IPD60N10S4L12ATMA1参数
| 封装 | TO-252-3-313 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 119 |
IPD60N10S4L12ATMA1概述
特性：N沟道-增强模式。 AEC认证。 最高260℃峰值回流的MSL1。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
IPD60N10S4L12ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD60N10S4L12ATMA1应用领域
暂无应用领域。