IPD50R1K4CEBTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其电气参数适合在中等功率、较高电压的开关应用中使用。 由于采用N沟道结构， 器件在正栅压驱动下可实现有效导通， 常用于电源适配器、LED驱动、小型电机控制及各类消费类电子设备中的功率开关与调节电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
99
货期
现货
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其电气参数适合在中等功率、较高电压的开关应用中使用。 由于采用N沟道结构， 器件在正栅压驱动下可实现有效导通， 常用于电源适配器、LED驱动、小型电机控制及各类消费类电子设备中的功率开关与调节电路。
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD50R1K4CEBTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。