IPD50R1K4CEAUMA1-HXY

该N沟道MOSFET器件具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。 其高耐压特性适用于中等功率开关场景， 能够在较高电压条件下稳定工作， 同时较低的导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效。 该器件结构适合用于电源管理、适配器、照明驱动及各类消费类电子设备中的开关与功率控制环节， 具备良好的热稳定性和可靠性。